• активный O-Ring (силовая схема ИЛИ соединения источников питания),
• Hot Swap (горячая замена без отключения электропитания и прекращения работы),
• E-Fuse (электронный предохранитель).

Особенностью IRF6718 является корпусирование кристалла кремния по технологии последнего поколения в новом большом корпусе Large Can DirectFET.

Данная технология позволила получить чрезвычайно низкое значение сопротивления открытого канала RDS(on) - 0,5 мОм (типовое значение при напряжении 10 В) и уменьшить на 60% место на печатной плате и на 85% высоту корпуса по сравнению с D2PAK.

Новая технология корпусирования кристалла позволяет изготавливать DirectFET-транзисторы со значительным уменьшением потери проводимости, ввиду того, что отсутствует разварка кристалла и нет пластмассового корпуса, достигается максимальное соотношение «площадь кристалла» / «площадь корпуса» и значительно улучшается тепловая эффективность всей системы.

IRF6718 - первое устройство International Rectifier выполненное в большом корпусе Large Can DirectFET со значительно сниженным значением RDS(on) по сравнению с устройствами других производителей, позволяющим обеспечить превосходную тепловую рабочую эффективность и высокую плотность DC/DC-устройств с сокращением места на печатной плате.

IRF6718 имеет улучшенную область безопасной работы (SOA - Safe Operating Area) с возможностью Hot Swap и E-Fuse. Устройство соответствует нормам RoHS.

Основные технические характеристики

Наименование	RDS(on) типовое @10В (мОм)	RDS(on) типовое  @4.5В (мОм)	VGS (В)	ID @ TA=25ºC (А)	Размеры корпуса (мм x мм)	RDS(on) тип. @10В x размер (мОм x мм2)
IRF6718	0.5	1.0	+/-20	61	7 x 9.1	31.9
IRF6717	0.95	1.6	+/-20	38	4.9 x 6.3	29.3
IRF6713	2.2	3.5	+/-20	22	3.8 x 4.8	40.1

Техническая документация по IRF6718

Техническая документация по IRF6717

Техническая документация по IRF6713

Стоимость IRF6718L2TR1PbF в США начинается с 1,50$ при количестве от 10 тыс. штук.