Компания International Rectifier
объявила о выпуске новой линейки
trench HEXFET
силовых полевых транзисторов с высокой нагрузочной способностью по
току. В первую очередь, транзисторы предназначены для промышленных
источников питания, DC электропривода и электроинструмента высокой
мощности.
Номинальный ток транзисторов составляет 195А, что на 60% превышает конкурентные компоненты в аналогичных корпусах. Также, MOSFET транзисторы
отличаются низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) по
отношению к предыдущему поколению TO-220, D2PAK и TO-262 транзисторов.
А транзисторы в 7-выводных D2PAK корпусах поддерживают токовую выходную
нагрузку до 240 А, что делает их лучшими корпусами для силовых
приборов. D2PAK-7 транзисторы имеют еще более низкое сопротивление
RDS(on), чем D2PAK.
...
Читать дальше »