SEMIKRON представляет новейшее поколение низкоиндуктивных 1200В модулей SEMITRANS IGBT, предназначенных для использования в преобразователях мощностью 20 – 300 кВт. Теперь эти модули будут комплектоваться чипами V-IGBT (Fuji), аналогичными по своим характеристикам кристаллам Trench 4. Сверхнизкая индуктивность выводов (15 нГн) обеспечивает снижение уровня переходных перенапряжений, благодаря чему данные силовые ключи могут применяться при повышенном напряжении на DC-шине. Кроме этого новые IGBT отличаются более плавной характеристикой переключения и пониженными динамическими потерями, что позволяет повысить эффективность преобразования.
В дополнение к уже выпускаемым модулям SEMITRANS с чипами IGBT Trench 4 производства Infineon, семейство SEMITRANS теперь может комплектоваться 1200 В кристаллами V-IGBT от Fuji. Они будут устанавливаться в 3
... Читать дальше »
SEMIKRON представляет новейшее поколение низкоиндуктивных 1200В модулей SEMITRANS IGBT, предназначенных для использования в преобразователях мощностью 20 – 300 кВт. Теперь эти модули будут комплектоваться чипами V-IGBT (Fuji), аналогичными по своим характеристикам кристаллам Trench 4. Сверхнизкая индуктивность выводов (15 нГн) обеспечивает снижение уровня переходных перенапряжений, благодаря чему данные силовые ключи могут применяться при повышенном напряжении на DC-шине. Кроме этого новые IGBT отличаются более плавной характеристикой переключения и пониженными динамическими потерями, что позволяет повысить эффективность преобразования.