Главная » 2009 » Декабрь » 21 » «Супертранзисторы» MDmesh™ V от компании STMicroelectronics
«Супертранзисторы» MDmesh™ V от компании STMicroelectronics
23:31
Компания STMicroelectronics расширила возможности разработчиков благодаря новому транзистору STW77N65M5 из семейства MDmesh™ V. Этот транзистор имеет сопротивление открытого канала (Rds-on) на уровне 0,038 Ом, что его делает одним из лучших в области силовых 650В МОП транзисторов. Вдобавок, максимальный ток этого транзистора достигает 69A в стандартном корпусе TO-247.
Такие превосходные характеристики были достигнуты благодаря использованию пятого поколения высоковольтной технологии (super-junction) и горизонтальной топологии PowerMESH™. Приборы MDmesh™ V имеют также низкие потери при переключении и в итоге позволяют увеличить плотность мощности через кристалл и снизить рабочую температуру его работы. Все эти преимущества особенно важны при разработке источников бесперебойного питания, блоков питания для серверов и ПК, конверторов солнечной энергии и всех остальных применений, где потери при переключении существенно отражаются на итоговой эффективности системы.
Использование этих транзисторов позволит также уменьшить размер разрабатываемых устройств, так как вместо большого количестве параллельных силовых МОП транзисторов можно установить один или два транзистора STW77N65M5 для достижения такого же значения тока.
В ближайшее время, STMicroelectronics еще расширит свое серию MDmesh™ V транзисторов с прибором STY112N65M5 имеющим сопротивление открытого канала 0,022 Ом и максимальный тока 93A для напряжения пробоя 650В.
Компания STMicroelectronics расширила возможности разработчиков благодаря новому транзистору