Компания STMicroelectronics расширила возможности разработчиков благодаря новому транзистору STW77N65M5 из семейства MDmesh™ V. Этот транзистор имеет сопротивление открытого канала (Rds-on) на уровне 0,038 Ом, что его делает одним из лучших в области силовых 650В МОП транзисторов. Вдобавок, максимальный ток этого транзистора достигает 69A в стандартном корпусе TO-247.
Такие превосходные характеристики были достигнуты благодаря использованию пятого поколения высоковольтной технологии (super-junction) и горизонтальной топологии PowerMESH™. Приборы MDmesh™ V имеют также низкие потери при переключении и в итоге позволяют увеличить плотность мощности через кристалл и снизить рабочую температуру его работы. Все эти преимущества особенно важны при разработке источников бесперебойного питания, блоков питания для серверов
... Читать дальше »
Вышел из печати последний в 2009 году, 16 номер «Новостей электроники». Фокусная тема - энергоэффективность и энергосбережение. Этой теме посвящены статья о применении микроконтроллеров TMS320F28xx от Texas Instruments в системах преобразования солнечной энергии и энергии ветра; обзор решений ON Semiconductor в области энергосбережения (в том числе - типовых схем на новых ШИМ-контроллерах и корректоров коэффициента мощности); заметка о новом семействе силовых полевых транзисторов SuperMESH3 от STMicroelectronics и материал об экономичных сетевых адаптерах MeanWell.
Тематические материалы дополнены статьей о малопотребляющих часах реального времени Maxim и обзором пассивных чип-компонентов известного производителя – компании Yageo.
3G/GSM-модуль Q26Extreme содержит встроенный процессор, способный выполнять пользовательскую программу, написанную на языке СИ. Модуль построен на основе технологии Dual Processor – приложения пользователя выполняются на ядре NXP PCF5212 (ARM9 DSP), в то время как GSM/3G-часть выполнена на базе чипсета Icera Livanto. Модуль Q26EX001 обеспечивает скорость загрузки данных до 7,2 Мбит/сек и поддерживает автоматическое переключение между сетями 2G/3G.